纳米氧化铝杂化***薄膜的电性能研究 PI薄膜耐电晕时间由于铝的纳米***的掺入有很大提高。相同实验条件下,未掺杂PI薄膜的耐电晕时间为 h,掺杂氧化铝23%的PI薄膜(膜厚12um)的耐电晕时间比较低为 h,耐电晕寿命提高30倍以上, 耐电晕性能提高的原因是掺杂了铝的纳米***后,在PI薄膜中形成了一层由纳米***组成的保护层。铝的纳米***可能形成了一定网状结构,在网状结构当中存在可以俘获载流子的陷阱结构,被俘获的载流子形成了空间电场,使加在薄膜上的电场强度变小,电晕老化延缓

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